電子陶瓷（如MLCC、壓電陶瓷、微波介質(zhì)陶瓷等）的性能對(duì)原料純度極為敏感，微量雜質(zhì)即可導(dǎo)致介電損耗增加、燒結(jié)異常或絕緣性能下降。大明化學(xué)高純度氧化鋁球（99.99%）憑借其超低雜質(zhì)含量和穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)，成為電子陶瓷漿料研磨的選介質(zhì)。以下是其減少雜質(zhì)污染的關(guān)鍵機(jī)制：

1. 超高純度（>99.99%）從源頭降低污染

普通氧化鋁球（純度99.5%~99.9%）含有較多Na、K、Fe、Si等雜質(zhì)，在研磨過程中會(huì)逐漸溶出并混入漿料，而高純度氧化鋁球（如大明化學(xué)TB系列）的雜質(zhì)含量極低：

• Na/K 等堿金屬會(huì)降低陶瓷的介電性能，并可能在燒結(jié)時(shí)形成低熔點(diǎn)相，導(dǎo)致結(jié)構(gòu)缺陷。

• Fe/Cr 等過渡金屬可能引入電子導(dǎo)電性，影響絕緣陶瓷的電阻率。

• Si 過量會(huì)改變陶瓷的燒結(jié)行為，導(dǎo)致致密化不均勻。

高純度氧化鋁球磨損率更低（僅普通球的1/7），進(jìn)一步減少雜質(zhì)溶出量，確保電子陶瓷粉體的化學(xué)穩(wěn)定性。

2. 低放射性（U<4ppb, Th<5ppb）保障高可靠性

電子陶瓷（如MLCC）在高應(yīng)用中（如汽車電子、5G基站）需長(zhǎng)期穩(wěn)定工作，而鈾（U）、釷（Th）等放射性元素的α衰變可能導(dǎo)致微觀結(jié)構(gòu)損傷，影響器件壽命。

• 普通氧化鋁球可能含 U:10~50ppb, Th:15~60ppb，而大明化學(xué)高純氧化鋁球控制在 U<4ppb, Th<5ppb，減少長(zhǎng)期使用中的輻射風(fēng)險(xiǎn)。

• 這一點(diǎn)在高可靠MLCC（如車規(guī)級(jí)X7R/X8R）生產(chǎn)中尤為重要。

3. 耐腐蝕性避免二次污染

電子陶瓷漿料可能含有機(jī)溶劑、分散劑或弱酸性/堿性成分，普通氧化鋁球在長(zhǎng)期研磨中可能發(fā)生表面腐蝕，釋放Al3?等金屬離子，影響漿料穩(wěn)定性。

• 大明化學(xué)氧化鋁球采用α-Al?O?晶相，化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，耐酸堿（pH 2~12），在漿料中幾乎無溶出。

• 實(shí)驗(yàn)顯示，在pH=4的漿料中研磨48小時(shí)，普通氧化鋁球重量損失達(dá)0.5%，而高純氧化鋁球僅0.01%。

4. 粒徑均一性（0.1mm起）優(yōu)化分散效果

電子陶瓷漿料需要納米級(jí)均勻分散，普通研磨球因粒徑分布寬，易造成局部過磨或研磨不足，導(dǎo)致漿料團(tuán)聚或顆粒粗化。

• 大明化學(xué)提供φ0.1mm~0.5mm超細(xì)氧化鋁球，適合納米級(jí)研磨（如BaTiO?介電粉體）。

• 磨損后仍保持球形，減少不規(guī)則顆粒對(duì)漿料的剪切破壞。

結(jié)論：高純氧化鋁球如何提升電子陶瓷品質(zhì)？

因此，在高電子陶瓷（如MLCC、LTCC、壓電陶瓷）生產(chǎn)中，高純度氧化鋁球已成為行業(yè)標(biāo)配，確保材料純凈度和器件可靠性。